Intel es el primero en instalar un escáner de litografía EUV de alta NA
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Para desarrollar aún más los nodos de procesamiento, los fabricantes de chips deben utilizar la fotolitografía, que puede admitir de manera confiable características de menor tamaño. La litografía ultravioleta extrema (EUV), una de las herramientas líderes para lograr estos tamaños, dirige la luz EUV hacia obleas de silicio para crear patrones intrincados, mejorando significativamente la resolución y precisión de los patrones de semiconductores.
Intel se convirtió recientemente en el primer cliente comercial de la herramienta EUV de alta apertura numérica (alta NA) de ASML. Intel afirma que esta herramienta puede transformar el diseño óptico para proyectar imágenes impresas en una oblea de silicio y aumentar drásticamente la resolución y escalabilidad de futuros procesadores.
All About Circuits habló con Mark Phillips, jefe de hardware y soluciones de litografía de Intel, para obtener más información sobre la nueva herramienta.
Intel completó la instalación de la nueva herramienta EUV de alta NA en su sitio de investigación y desarrollo en Hillsboro, Oregón, en abril de 2024.
Intel es el primero en utilizar la herramienta High NA EUV de ASML
Para admitir nodos de procesamiento avanzado, Intel y ASML han ensamblado conjuntamente un escáner TWINSCAN EXE:5000 de ASML. Esto convierte a Intel en el primero de la industria en obtener una herramienta de alto NA EUV.
“No somos sólo clientes. "Estuvimos muy involucrados en las discusiones y conceptos iniciales de la herramienta", dijo Phillips. “Describieron el espacio de lo que era técnicamente posible y luego trabajamos juntos para determinar el caso comercial de la herramienta. ¿Cómo podría utilizarse de forma rentable? Acordamos estas especificaciones hace muchos años”.
Principales subsistemas del TWINSCAN EXE:5000.
El escáner TWINSCAN EXE:5000 utiliza una longitud de onda EUV de 13,5 nm y una apertura numérica (NA) de 0,55 para lograr una resolución de hasta 8 nm y un rendimiento de 185 obleas por hora (@20 mJ/cm).2 Dosis). En comparación con los sistemas anteriores con una NA de 0,33, el nuevo sistema ofrece un mayor contraste de imagen y reduce la exposición a la luz por capa. Intel también destaca el nuevo sistema EUV de alta NA por sus capacidades de resolución mejoradas, proyectando características que son 1,7 veces más pequeñas que las posibles con herramientas EUV anteriores.
Las empresas afirman que esta mejora permitirá producir transistores con densidades hasta 2,9 veces superiores a las del estado actual de la técnica.
¿Por qué un EUV NA alto?
La litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica representa un avance significativo en el proceso de fabricación de semiconductores.
Los sistemas High NA EUV modifican de forma única su diseño óptico e incorporan un ángulo de exposición más amplio. Este cambio mejora drásticamente la capacidad del sistema para enfocar la luz con extrema precisión, lo que da como resultado transistores más pequeños y más densamente empaquetados. De esta manera, los sistemas de alto NA EUV ofrecen la oportunidad de producir diseños de chips avanzados que van más allá de las capacidades de la tecnología de litografía actual, impulsando la Ley de Moore hacia el futuro.
Empleados de Intel con su TWINSCAN EXE:5000.
Según Phillips, los beneficios de este avance van más allá del tamaño más pequeño de los transistores.
“¿Por qué elegimos ser pioneros en NA-EUV alto? En primer lugar, la resolución mejorada permite reglas de diseño flexibles, simplifica el flujo del proceso, reduce la cantidad de capas de máscara y reduce los otros pasos del proceso necesarios para combinar varias capas de máscara en una sola capa de proceso”, explica.
“Esto nos brinda un mejor momento para rendir gracias a un intercambio de información más rápido, un flujo de proceso más corto y un proceso más fácil de depurar. Al final esperamos mejores retornos de esto”.
Intel comienza con el nodo de proceso 18A
El uso por parte de Intel de la herramienta High NA EUV es un movimiento estratégico para mantener su ventaja competitiva en la industria de los semiconductores. La compañía planea integrar TWINSCAN EXE:5000 en su línea de producción, comenzando con el nodo de proceso Intel 18A, y espera que la tecnología lleve a Intel hacia la “Era Armstrong”.
Todas las imágenes utilizadas son cortesía de Intel.
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