Los requisitos de densidad están impulsando las soluciones de almacenamiento a nuevos niveles

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Varios líderes de la industria de la memoria, incluidos Samsung, Kioxia y Micron, han lanzado recientemente nuevos avances en tecnología de memoria. En la era de la IA generativa, el almacenamiento de datos es tan importante como el procesamiento rápido. Como resultado, las empresas se están volviendo a centrar en la densidad y el rendimiento del almacenamiento.

Nuevas arquitecturas de almacenamiento

A medida que aumenta la demanda de almacenamiento para nuevas aplicaciones, los diseñadores aprovechan nuevas arquitecturas como las mencionadas anteriormente y la integración 3D para reducir costos y mejorar el rendimiento. Imagen cortesía de Kioxia

Si bien los recientes desarrollos de almacenamiento de cada proveedor son únicos a su manera, comparten algunos puntos en común que apuntan a tendencias importantes en nuestra industria, tales como: B. NAND vertical y otras tecnologías orientadas a la densidad.

Samsung lanza V-NAND de novena generación

Para iniciar este resumen, Samsung anunció recientemente la producción en masa de su solución NAND vertical (V-NAND) de novena generación. Las soluciones de almacenamiento vertical se están volviendo cada vez más populares a medida que los desarrolladores enfrentan los límites fundamentales de empaquetar más densidad de bits en tamaños de paquetes cada vez más reducidos.

La nueva V-NAND de novena generación de Samsung ofrece hasta 1 TB de almacenamiento total con una arquitectura de celda de tres niveles. En esta arquitectura, se pueden almacenar tres bits de información en una sola celda, lo que mejora la densidad de almacenamiento y reduce ligeramente la velocidad en comparación con las arquitecturas de celdas de una o varias etapas.

Solución V-NAND de Samsung

Samsung utilizó la tecnología de grabado de orificios de canal en su nueva solución V-NAND, que permite distribuir los orificios en una mayor cantidad de capas. Imagen cortesía de Samsung

Samsung informa que la V-NAND de novena generación ofrece una densidad de bits un 50% mejorada en comparación con las generaciones anteriores y velocidades de entrada/salida de datos de hasta 3,2 Gbps. Los chips utilizan la tecnología de proceso de grabado de orificios de canal de Samsung, lo que aumenta la densidad y el número de capas. Junto con un consumo de energía un 10% menor, la última V-NAND de Samsung apunta al mercado de SSD de alto rendimiento.

Kioxia confía en el almacenamiento integrado de alta densidad

Como parte de su cambio hacia aplicaciones integradas, Kioxia anunció recientemente que ha comenzado a probar sus últimos dispositivos de almacenamiento flash integrados, Universal Flash Storage (UFS) 4.0. Disponibles en capacidades de 256 GB a 1 TB, los dispositivos UFS 4.0 ofrecen numerosos beneficios a los desarrolladores de dispositivos integrados y móviles.

En comparación con los dispositivos UFS 3.1 más antiguos, UFS 4.0 mejora las velocidades de lectura/escritura hasta en un 50 % y reduce el tamaño total, lo que permite a los desarrolladores integrar el almacenamiento en dispositivos más pequeños. Además, los dispositivos tienen una velocidad de transferencia teórica de 46,4 Gbps, lo que ofrece un rendimiento superior cuando la velocidad de los datos importa.

El último dispositivo de almacenamiento de Kioxia

El último dispositivo de almacenamiento Kioxia reduce el tamaño y mejora la densidad, lo que permite que las aplicaciones integradas utilicen más memoria. Imagen cortesía de Kioxia

Los dispositivos Kioxia utilizan una arquitectura TLC junto con la tecnología de almacenamiento BiCS FLASH, lo que permite reducir el tamaño y mejorar la densidad. El muestreo de los chips de 256 y 512 GB comienza este mes, y el muestreo de los chips de 1 TB comenzará en junio de 2024.

Micron acumula memoria NAND de capa alta

Finalmente, Micron también ha anunciado la producción en masa de sus dispositivos QLC NAND de 232 capas. Como hemos visto, la integración 3D de la memoria permite densidades de bits más altas. La introducción de un alto número de capas por parte de Micron es un gran paso adelante para el almacenamiento de alta densidad y alto rendimiento.

Micron NAND

Utilizando sus últimos chips NAND, Micron ha comenzado a probar un SSD de referencia con el mayor número de capas en el silicio subyacente. Imagen cortesía de Micron

En comparación con los dispositivos anteriores, el SSD Micron 2500 (basado en el chip de 232 capas) ofrece velocidades de datos un 50% más rápidas, un rendimiento de lectura un 24% mejor y un tamaño reducido un 28%, lo que permite una integración mejorada en los dispositivos finales. Estas métricas, combinadas con la arquitectura Quad Level Cell (QLC), proporcionan un buen equilibrio entre rendimiento y densidad de almacenamiento para el mercado de SSD de consumo.

Micron se ha centrado en los SSD de valor como aplicación principal de su tecnología, representados por el Micron 2500 NVMe, que Micron envía actualmente como muestra a los fabricantes de PC OEM. Los 2500 SSD están disponibles en capacidades de hasta 2 TB.


¿Qué desafíos de diseño ha encontrado a medida que aumentan las demandas de almacenamiento de datos? Comparta sus pensamientos y experiencias en los comentarios a continuación.

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