Microchip amplía sus dispositivos SRAM serie a 2 MB y 4 MB

[ad_1]

Las aplicaciones informáticas integradas modernas dependen en gran medida del almacenamiento y el acceso a datos. Sin embargo, los grandes dispositivos de almacenamiento a menudo entran en conflicto con las limitaciones de espacio y costo de las aplicaciones integradas. Recientemente, Microchip anunció dos nuevos productos SRAM en serie, ambos con densidades más altas y velocidades más rápidas.

23AA02M/23LCV02M y 23AA04M/23LCV04M

Microchips 23AA02M/23LCV02M y 23AA04M/23LCV04M. Imagen cortesía de Microchip

Echemos un vistazo a los nuevos productos de Microchip y analicemos por qué estos dispositivos pueden ser una alternativa atractiva a las ofertas tradicionales de SRAM paralela.

Microchip presenta dos dispositivos SRAM en serie

Microchip afirma que sus dos nuevos productos SRAM en serie, el 23AA02M/23LCV02M y el 23AA04M/23LCV04M, representan importantes avances en su cartera de productos.

El 23AA02M/23LCV02M tiene una capacidad de almacenamiento de 2 MB, mientras que el 23AA04M/23LCV04M duplica la capacidad a 4 MB. Estas SRAM ofrecen opciones de empaque físico flexibles: PDIP, SOIC y TSSOP de 8 pines para las versiones de 2 MB y paquetes de 14 pines para las versiones de 4 MB.

El diagrama de sincronización de la entrada serial 23AA02M/23LCV02M

El diagrama de sincronización de la entrada serial 23AA02M/23LCV02M. Imagen cortesía de Microchip

Estas SRAM admiten operación de lectura y escritura de voltaje único, con las variantes 23AA02M y 23AA04M que cubren un rango de 1,7 V a 3,6 V y las variantes 23LCV02M y 23LCV04M que cubren un rango ligeramente más estrecho de 2,2 V a 3,6 V. V Flexibility es adecuado para aplicaciones de baja potencia y aquellas que requieren una mayor eficiencia energética. En este sentido, estas SRAM resuelven los problemas de consumo de energía con especificaciones de corriente de lectura activa baja (máx. 6 mA a 40 MHz, 3,6 V para SPI/SDI/SQI) y una corriente en espera de normalmente solo 140 μA a 25 °C.

Una de las características más notables de estas SRAM serie es su arquitectura de interfaz serie, que es compatible con los protocolos SPI, SDI y SQI. Las SRAM también están diseñadas para brindar confiabilidad de datos y tienen lógica de código de corrección de errores (ECC) incorporada que garantiza la integridad de los datos y reduce la probabilidad de errores. Para obtener más información, visite la página de productos de memoria de Microchip.

SRAM de serie y velocidad

Con estos dos nuevos componentes, Microchip quería eliminar una desventaja importante de la SRAM en serie: su ancho de banda significativamente menor que una interfaz paralela. La SRAM serial proporciona memoria no volátil al tiempo que facilita el acceso y la operación de datos de alta velocidad. A diferencia de la SRAM tradicional, que normalmente utiliza una interfaz paralela y requiere numerosas conexiones y pines para datos, direcciones y señales de control, la SRAM en serie utiliza una interfaz en serie. Esta interfaz reduce significativamente la cantidad de pines y simplifica el diseño y la interconexión con microcontroladores, microprocesadores y otros sistemas digitales.

La SRAM serial utiliza un protocolo de comunicación más simple, a menudo la interfaz periférica serial (SPI) o el circuito interintegrado (I).2C), que limita la transferencia de datos a través de una conexión en serie a un bit a la vez. Este mecanismo de transferencia de datos en serie permite un paquete físico más pequeño y rentable, lo que lo convierte en una opción eficaz para aplicaciones complejas o con limitaciones de espacio y aquellas en las que el costo de pines y trazas adicionales es prohibitivo.

Comunicación serie versus paralela

Comunicación serie versus paralela. Imagen cortesía de Digi-Key

Mientras que un puerto paralelo puede enviar muchos bits de datos a la vez, los puertos serie deben enviar bits de datos uno a la vez, lo que ralentiza la comunicación entre SRAM y el host. La velocidad es una especificación particularmente importante para la SRAM en serie porque afecta directamente el rendimiento y la eficiencia del sistema. En aplicaciones en tiempo real, como el procesamiento de señales digitales o la adquisición de datos de alta velocidad, estos dispositivos deben escribir y leer en la memoria rápidamente y sin demoras significativas. Con estas aplicaciones en mente, Microchip ha diseñado sus nuevos dispositivos SRAM en serie para admitir frecuencias de reloj de alta velocidad de hasta 143 MHz, mejorando significativamente el rendimiento de datos en comparación con las generaciones anteriores.

Soporte de aplicaciones integradas

Al desarrollar estas nuevas SRAM en serie, Microchip se centró en un factor de forma pequeño, un bajo consumo de energía y una alta densidad para que los dispositivos puedan usarse en aplicaciones de transferencia continua de datos y cargas de trabajo con uso intensivo de datos. Los dispositivos ahora están disponibles en cantidades de hasta 10.000.

[ad_2]

Deja una respuesta

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *


Subir