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Este resumen incluye un MOSFET de SiC de alto voltaje en un encapsulado de cuatro pines que minimiza las pérdidas por conmutación y una nueva memoria DRAM DDR5 de alta densidad basada en tecnología de proceso de 12 nm. También se presenta el primer chip comercial de dirección de haz óptico para sensores LiDAR de estado sólido, junto con un procesador óptico de señal digital (DSP) para módulos conectables de 800 Gbit/s.
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