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El fotorrelé mejora las pruebas de semiconductores a través del rendimiento, el diseño y la versatilidad en aplicaciones de alta velocidad.
Toshiba Electronics Europe GmbH ha presentado el TLP3475W, un nuevo relé fotográfico diseñado para mejorar el rendimiento de aplicaciones de señales de alta frecuencia. Este dispositivo está diseñado principalmente para probar semiconductores, incluidas memorias de alta velocidad, probadores lógicos y tarjetas de prueba.
Las aplicaciones de esta tecnología son diversas e incluyen instrumentos de medición, probadores de memoria de alta velocidad y probadores de circuitos integrados lógicos de alta velocidad. También se utiliza habitualmente en equipos de prueba automáticos (ATE) y tarjetas de prueba. Estas diversas aplicaciones demuestran su versatilidad en diversos escenarios de prueba y medición.
El TLP3475W presenta un diseño que minimiza la capacitancia e inductancia parásitas, lo que reduce la pérdida de inserción de señal en frecuencias de alrededor de 20 GHz. Esto representa una mejora con respecto al modelo anterior TLP3475S. Las características del TLP3475W incluyen un requisito de corriente de menos de 3,0 mA para controlar el LED, una resistencia de 1,1 Ω y un voltaje de aislamiento de más de 300 Vrms. Su capacitancia de salida es inferior a 20 pF, lo que contribuye a tiempos de conmutación de alrededor de 2 ms. El fotorelé ofrece una función normalmente abierta (NO) o 1-Form-A.
El producto incluye características como un paquete WSON4 con dimensiones de 1,45 mm × 2,0 mm y una altura de 0,8 mm. Funciona con una configuración normalmente abierta (1-Form-A) y un voltaje del terminal de salida en el estado APAGADO de al menos 60 V. La corriente del disparador del LED es de 3 mA, mientras que la corriente en el estado ENCENDIDO puede ser de hasta 0,4 A. La resistencia en estado ON es como máximo de 1,5 Ω. La capacitancia de salida es de 12 pF y se puede aumentar hasta 20 pF. Un aspecto es el voltaje de aislamiento, que es de al menos 300 Vrms. El producto no contiene halógenos, como se describe en la sección «Dispositivos en envases de resina sin halógenos» de la hoja de datos. Tiene una pérdida de inserción de 3 dB a una frecuencia de 20 GHz.
El TLP3475W es más pequeño que el paquete S-VSON4T de Toshiba, lo que resulta beneficioso en diseños multicanal donde el espacio es limitado. Su rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +110 °C lo hace adecuado para aplicaciones industriales, incluidas pruebas de semiconductores de alta velocidad.
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