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Infineon ha anunciado varias variantes nuevas de MOSFET de silicio y SiC para aplicaciones que requieren una conmutación robusta. Con tendencias hacia la descarbonización y la mejora de la eficiencia en energías renovables, aplicaciones industriales y automotrices, los nuevos MOSFET pueden ayudar a los diseñadores a reducir el desperdicio de energía y mejorar el rendimiento general.
Cada uno de los MOSFET recientemente anunciados por Infineon presenta mejoras únicas destinadas a una variedad de aplicaciones.
En este artículo, analizamos más de cerca cada nueva incorporación al portafolio de MOSFET de Infineon para aprender más sobre las mejoras en comparación con las generaciones anteriores. También analizaremos cada aplicación para brindarles a los lectores una idea de cómo los diseñadores pueden aprovechar una mayor eficiencia y rendimiento para los dispositivos de próxima generación.
MOSFET de SiC de segunda generación
En primer lugar, Infineon anunció recientemente su serie CoolSiC MOSFET de segunda generación, que permite a los diseñadores aumentar la eficiencia y reducir el tamaño en aplicaciones de alto rendimiento. En comparación con el silicio, los MOSFET de SiC ofrecen un mejor manejo de energía y rendimiento térmico, lo que allana el camino para una mayor eficiencia general.
Esta tendencia continúa con CoolSiC G2, con Infineon informando una tensión nominal de hasta 1200 V y una resistencia térmica desde la caja hasta la unión de solo 0,19 K/W. Esto permite a los diseñadores manejar voltajes y corrientes más altos sin tener que recurrir a dispositivos de conmutación de factor de forma grande.
En comparación con las generaciones anteriores, la serie CoolSiC G2 permite dispositivos de menor tamaño gracias a una mejor eficiencia térmica.
Utilizando un caso de uso automotriz como ejemplo, Infineon informó una reducción de hasta un 10 % en la pérdida de energía con CoolSiC G2, al tiempo que aumentó la capacidad de carga y mantuvo un factor de forma familiar. Por lo tanto, la serie CoolSiC G2 podría resultar útil en muchas aplicaciones, incluidas las energías renovables y los convertidores CC-CC.
MOSFET WBG de alto voltaje
Infineon también presentó nuevos MOSFET CoolSiC que permiten un procesamiento de mayor voltaje. La nueva serie CoolSiC de 2000 V ofrece un mayor margen de voltaje, lo que permite a los diseñadores aprovechar los FET para aumentar el margen de seguridad en comparación con las generaciones anteriores que fallan a 1700 V.
La baja resistencia de la serie CoolSiC 2000V permite a los diseñadores manejar grandes corrientes y voltajes.
La serie de 2000 V de MOSFET CoolSiC (hoja de datos vinculada) puede admitir una corriente de drenaje de hasta 123 A, con una resistencia de encendido correspondiente de 12 mΩ. Infineon menciona específicamente los sistemas de enlace de CC de 1500 V como una aplicación potencial. Sin embargo, debido a sus tensiones y corrientes de ruptura, la serie de 2000 V se puede utilizar en muchas aplicaciones, incluida la carga rápida de vehículos eléctricos y la energía solar.
Densidad de potencia mejorada con OptiMOS 6
Infineon también anunció recientemente la familia OptiMOS 6 MOSFET, que mejora la densidad de potencia y la confiabilidad en dispositivos más pequeños. A medida que más aplicaciones recurren a fuentes de alimentación conmutadas, las mejoras en la serie OptiMOS 6 (hoja de datos vinculada) permiten a los diseñadores reducir aún más sus diseños.
La densidad de potencia de la serie OptiMOS 6 crea un amplio rango operativo seguro.
En comparación con la generación anterior, OptiMOS 6 ofrece una resistencia de encendido un 42 % menor y una carga de recuperación inversa un 89 % menor, lo que permite a los diseñadores mejorar la eficiencia y el rendimiento EMI. Además, OptiMOS 6 admite voltajes de hasta 200 V, lo cual es fundamental para muchas aplicaciones. La serie OptiMOS 6 está dirigida a una amplia gama de casos de uso, desde scooters eléctricos hasta servidores compactos o sistemas de telecomunicaciones. La serie también es adecuada para aplicaciones de conmutación estática, incluidos sistemas de gestión de baterías.
Una tendencia al alza para mejorar los cambios
Si bien no todos los diseñadores necesitan los mejores y más recientes FET, las nuevas ofertas de Infineon no solo brindan una opción más amplia de MOSFET, sino que también amplían los límites del rendimiento para reducir el desperdicio de energía. A medida que más dispositivos se electrifiquen, la cartera MOSFET mejorada de Infineon podría ser fundamental para mantener baja la huella de carbono de la electrónica de próxima generación.
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