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Un grupo de científicos está trabajando en una tecnología de vanguardia que tiene el potencial de mejorar drásticamente el rendimiento de la memoria flash. El fundamento se basa en el concepto divertido de «autos de choque», similar a cómo los autos de choque chocan entre sí y con otros vehículos en un área, esta nueva tecnología tiene como objetivo mejorar el rendimiento a través de un potente bombardeo de iones. Para respaldar los requisitos de alto rendimiento de datos para la computación neuromórfica y las aplicaciones relacionadas con AI/ML, un fuerte bombardeo de iones puede ayudar a la plataforma de almacenamiento a expresar múltiples flujos de datos de manera confiable en un solo dispositivo. Además, es el candidato ideal para aplicaciones avanzadas en computación neuromórfica y para una mayor capacidad de almacenamiento.
Yoonyoung Chung (Departamento de Ingeniería Eléctrica y Departamento de Ingeniería de Semiconductores) de POSTECH con el estudiante graduado Seongmin Park (Departamento de Ingeniería Eléctrica) están colaborando con Samsung Electronics para desarrollar una unidad de memoria flash mediante la creación intencional de defectos. A medida que avanza la tecnología, los requisitos de almacenamiento se vuelven cada vez más exigentes. Las tecnologías basadas en AI/ML, las redes neuronales y la computación neuromórfica requieren dispositivos con capacidades de almacenamiento de datos en niveles, pero la tecnología existente está limitada por su durabilidad, escalabilidad y capacidad de almacenamiento.
Para superar estos desafíos, el equipo de investigación utilizó un poderoso método de bombardeo de plasma mientras depositaba la capa de almacenamiento de datos de la memoria flash para crear defectos artificiales en el dispositivo de almacenamiento. Además, el equipo de investigación confirmó que se puede almacenar una mayor cantidad de electrones en los defectos creados artificialmente, aumentando varias veces la capacidad de almacenamiento de datos de la unidad flash en comparación con una tarjeta de memoria convencional. Se puede demostrar un dispositivo de memoria con múltiples planos de datos cuando los electrones se llenan gradualmente en la capa de almacenamiento de datos de una memoria flash donde hay un mayor número de defectos. El dispositivo particular involucrado en este experimento tiene ocho planos de datos distintos.
Los resultados de este experimento son de gran importancia y pueden ayudar a minimizar el riesgo de formular un nuevo diseño o estructura de semiconductores al tiempo que avanzan significativamente en la memoria flash con un rendimiento y una escalabilidad mejorados para aplicaciones de IA/ML y computación neuromórfica.
El estudio se puede leer aquí.
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