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Después de la transferencia de material, se observó un aumento del 190.500 % en la resistividad.
Investigadores de la Universidad de California, Irvine y el Laboratorio Nacional de Los Álamos han descubierto un nuevo método para convertir materiales aislantes topológicos, como el vidrio, en materiales cuánticos conductores que los científicos pueden utilizar para crear computadoras cuánticas.
Hay estados cuánticos, estados topológicamente protegidos que son resistentes a perturbaciones que no tienen ningún efecto sobre la topología general (propiedad global) del sistema. En los materiales cuánticos, estos estados son responsables de los estados de «superficie conductora» o «borde», que siguen siendo conductores incluso cuando el material es aislante en su forma masiva. Esta robustez los hace muy buscados para aplicaciones en computación cuántica y espintrónica.
Existen materiales llamados aislantes topológicos, que actúan como aislantes en su interior, pero conducen la electricidad en su superficie y, por tanto, tienen estados topológicamente protegidos. Tienen dos fases principales: aislantes topológicos débiles y fuertes. La transición entre estas fases, la transición de fase topológica (TPT), en condiciones controladas es un área de investigación importante para el desarrollo de dispositivos electrónicos. Uno de esos materiales es el telururo de hafnio (HfTe).5)
Aplicando una carga significativa y controlable al HfTe5 En muestras, los investigadores pudieron inducir una transición de fase de un aislante topológico débil a uno fuerte. La ingeniería de deformaciones es una técnica que aplica tensión a un material para cambiar sus propiedades electrónicas. Es particularmente eficaz para materiales como el HfTe5, donde la estructura de la red cristalina y la estructura electrónica están estrechamente vinculadas.
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La transición a un aislante topológico fuerte se observó mediante mediciones de transporte eléctrico (para estudiar cómo se mueve la corriente a través de un material). Se observó un aumento dramático en la resistividad (190,500%) después de la transferencia del material.
Los resultados demuestran el potencial del HfTe5 como material prometedor para el desarrollo de propiedades topológicas. Esto abre nuevas vías para el desarrollo de dispositivos que aprovechen las propiedades únicas de los aislantes topológicos, como: Por ejemplo, dispositivos electrónicos de baja potencia, elementos de computación cuántica y sensores. Podría generalizarse para estudiar transiciones de fase topológicas en otros materiales y heteroestructuras de van der Waals.
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