[ad_1]
(noticias nanowerk) El dopaje por sustitución con elementos extraños surge como un método preferido para adaptar con precisión la estructura de la banda electrónica, el tipo de conducción y la concentración de portadores de materiales prístinos. Por ejemplo, en el campo del silicio monocristalino tridimensional (3D), la introducción de átomos de boro (B) y nitrógeno (N) como dopantes aceptores y donantes, respectivamente, ha demostrado ser extremadamente eficaz para mejorar la movilidad del portador. Esta mejora posiciona al silicio para aplicaciones avanzadas en circuitos integrados.
El disulfuro de molibdeno (MoS) se está expandiendo al ámbito de los semiconductores bidimensionales (2D)2) tiene un enorme potencial para futuros dispositivos optoelectrónicos. Sin embargo, las estrategias de dopaje controlables para materiales 2D y sus posibles direcciones de aplicación requieren más investigación. La búsqueda de métodos de dopaje óptimos para materiales 2D es una nueva frontera en la ciencia de los materiales y allana el camino para avances sin precedentes en el campo de la optoelectrónica.
Investigadores dirigidos por Anlian Pan, Dong Li y Shengman Li de la Universidad de Hunan en China son pioneros en la síntesis de semiconductores bidimensionales de gran superficie, alta calidad y baja densidad de defectos. Su investigación se centra en dilucidar las propiedades fotoeléctricas de estos materiales y explorar su potencial para futuras aplicaciones de dispositivos.
![Se logra una monocapa de MoS2 dopada con vanadio mediante un proceso de deposición química de vapor](https://www.nanowerk.com/nanotechnology-news3/id64357_1.jpg)
Aprovechando la base para producir MoS puro con alta movilidad2, los investigadores profundizaron en el ámbito del dopaje extranjero e introdujeron átomos de vanadio (V). Su enfoque tenía como objetivo optimizar las propiedades de transmisión de MoS.2 variando la concentración de dopaje V. En particular, sus investigaciones revelaron que el MoS dopado con V2 Las monocapas con bajas concentraciones de dopaje mostraron una mayor emisión de excitones B, lo que es prometedor para aplicaciones en fotodetectores de banda ancha.
Este trabajo fue publicado en Límites de la optoelectrónica (“Crecimiento de vapor de MoS dopado con V2 Monocapas con emisión de excitones B mejorada y respuesta espectral amplia»). Esta investigación proporciona información valiosa sobre el panorama en evolución de los semiconductores bidimensionales y sus posibles implicaciones para las tecnologías optoelectrónicas.
[ad_2]