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Este robusto dispositivo está diseñado para revolucionar las aplicaciones energéticas en industrias como centros de datos, movilidad eléctrica, robótica y más.
EPC ha presentado el EPC2361, un transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) que establece un nuevo estándar en la industria con su resistencia operativa notablemente baja de solo 1 mΩ a 100 V. Este producto innovador está empaquetado en un diseño QFN compacto de 3 x 5 mm y presenta capacidades de enfriamiento superior e inferior para una mejor gestión térmica. La resistencia del EPC2361 está diseñada para funcionar de manera eficiente a 50 A y 25 °C con un voltaje de puerta de 5 V, aumentando a aproximadamente 1,8 mΩ a su temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C. Si bien la hoja de datos preliminar no proporciona ninguna información sobre los valores máximos de Rds(on), Electronics Weekly se ha puesto en contacto con EPC para obtener más detalles.
La carcasa está diseñada para una disipación de calor óptima y tiene una resistencia térmica de conexión a placa de 1,5 °C/W. El disipador de calor superior está hecho de metal y está conectado a la fuente de potencial, por lo que las topologías de medio puente requieren un material de interfaz térmica aislante eléctricamente. Capaz de manejar corrientes continuas de 101 A a 25 °C y corrientes de pulso de hasta 519 A durante 300 µs, el EPC2361 es una solución robusta para aplicaciones de energía. Sin embargo, no proporciona protección contra avalanchas contra sobretensiones, una característica que comparte con otros transistores de potencia GaN Hemt. Las características clave incluyen:
- Diseñado para funcionar eficientemente a 50 A y 25 °C con un voltaje de puerta de 5 V.
- A una temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C, la resistencia aumenta hasta aproximadamente 1,8 mΩ.
- Presenta una resistencia térmica entre la unión y la parte superior de la caja de 0,2°C/W.
Para los desarrolladores, EPC ofrece la placa de desarrollo EPC90156 con unas dimensiones de aproximadamente 50 x 50 mm. Esta placa le permite crear un medio puente de 100 V y 65 A con dos transistores EPC2361 y un controlador de puerta Up1966E de uPI Semiconductor. Está preparado para revolucionar diversas aplicaciones, incluida la rectificación síncrona CA-CC, la conversión CC-CC de hasta 80 V y variadores de motor de 24 a 60 V. Se espera que sirva a industrias como centros de datos, movilidad eléctrica, robótica, drones y energía solar. La conversión de energía se beneficiará significativamente de esta tecnología avanzada.
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