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(noticias nanowerk) El profesor Soon-Yong Kwon del Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales y la Escuela de Graduados en Ingeniería de Dispositivos y Materiales Semiconductores de UNIST, en colaboración con el profesor Zonghoon Lee, ha lanzado un esfuerzo de investigación innovador centrado en el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. del tipo ditelururo de molibdeno (MoTe).2) – un compuesto conocido por sus propiedades únicas.
La investigación fue publicada en comunicación de la naturaleza (“Fabricación de matrices de transistores 2D monocristalinos tipo p con electrodos semimetálicos de Van der Waals sintonizados con el nivel Fermi”).
Esta innovadora tecnología es muy prometedora para su aplicación en la industria CMOS (semiconductores complementarios de óxido metálico) de próxima generación, donde la tecnología ultrafina es fundamental.
Los dispositivos CMOS se basan en la conexión complementaria de semiconductores tipo p y tipo n. Los dispositivos CMOS son conocidos por su bajo consumo de energía y se utilizan comúnmente en dispositivos electrónicos cotidianos como PC y teléfonos inteligentes. Si bien el CMOS basado en silicio se utiliza ampliamente, existe un interés creciente en los materiales bidimensionales como candidatos potenciales para futuros semiconductores debido a su estructura delgada. Sin embargo, al formar electrodos metálicos tridimensionales en estos materiales, surgen desafíos durante el proceso de fabricación que resultan en varios defectos en la interfaz.
En este esfuerzo de investigación, dirigido por el equipo del profesor Kwon junto con el equipo del profesor Lee, se centraron en desarrollar dispositivos semiconductores tipo p de alto rendimiento utilizando MoTe.2 – un compuesto conocido por tener propiedades únicas. Mediante el uso de técnicas de deposición química de vapor (CVD) que facilitan la formación de películas delgadas mediante reacciones químicas, los investigadores han logrado sintetizar MoTe de 4 pulgadas de área grande2 Gofres de notable pureza.
La innovación clave radica en controlar la función de trabajo depositando un metal tridimensional sobre un semimetal bidimensional, modulando eficazmente las capas de barrera que evitan la penetración de los portadores de carga. Además, este enfoque utiliza metales tridimensionales para actuar como películas protectoras para metales bidimensionales, lo que da como resultado mejores rendimientos y permite la implementación de dispositivos de matriz de transistores.
“La importancia de nuestra investigación va más allá de MoTe2“ explicó Sora Jang (programa combinado de maestría y doctorado en ciencia e ingeniería de materiales, UNIST). «El método de fabricación del dispositivo desarrollado se puede aplicar a diversos materiales bidimensionales y abre las puertas a nuevos avances en este campo».
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