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Este salto tecnológico tiene el potencial de revolucionar la memoria de las computadoras y proporcionar una alternativa más eficiente y rápida a la DRAM y la memoria flash.
Científicos de la Universidad de Rochester han logrado un avance en la tecnología de memoria de computadora al desarrollar una nueva forma de interruptor resistivo híbrido. Esta innovación combina las ventajas de los memristores y los materiales de cambio de fase al tiempo que supera sus desventajas individuales.
Los avances recientes en la tecnología memristiva han producido una categoría novedosa de memristores de cambio de fase bipolar de alto rendimiento que utilizan diteluuro de molibdeno multicapa deformado (MoTe2). Este enfoque innovador utiliza tecnología de deformación inducida por procesos en la que películas delgadas de metal tensionadas se estructuran estratégicamente en contactos. Estos contactos desencadenan una transición controlada por voltaje de una fase semimetálica a una semiconductora en MoTe2, creando efectivamente un memristor de transporte vertical autoalineado. El semiconductor MoTe2 sirve como región activa para estos dispositivos.
Una característica clave de estos memristores es su capacidad para acercarse al límite de transición de fase, lo que da como resultado voltajes de conmutación notablemente bajos de solo 90 mV. También cuentan con impresionantes relaciones de encendido/apagado de hasta 108, tiempos de conmutación rápidos de solo 5 ns y tiempos de espera confiables de más de 105 s. Un aspecto clave de esta tecnología es la capacidad de modular el voltaje de conmutación y la relación de encendido/apagado del dispositivo cambiando un único parámetro del proceso: la fuerza de la película metálica de contacto. Este parámetro es una combinación de tensión y espesor de la película.
![](https://www.electronicsforu.com/wp-contents/uploads/2023/12/Memristor-sdf.jpg)
Estos avances representan un gran paso adelante en el campo de los memristores de cambio de fase bidimensionales (2D) y demuestran un rendimiento superior en comparación con otros dispositivos memristivos 2D. El desarrollo de estos memristores MoTe2 diseñados por deformación abre nuevas vías para las tecnologías de memoria y podría revolucionar la forma en que los dispositivos electrónicos gestionan y almacenan información.
Si bien el equipo continúa trabajando para mejorar la confiabilidad general de estos memristores de cambio de fase, el progreso hasta la fecha es prometedor y sugiere un futuro en el que estos dispositivos de almacenamiento altamente eficientes y de alta velocidad podrían transformar el procesamiento de datos. La colaboración entre los departamentos de ingeniería eléctrica e informática, física e ingeniería mecánica de la universidad fue crucial para identificar métodos óptimos de tensión del material para lograr los resultados deseados.
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