[ad_1]
(noticias nanowerk) Investigadores de la Universidad Metropolitana de Osaka demuestran que los diamantes son mucho más que el mejor amigo de una chica. Su innovadora investigación se centra en los transistores de nitruro de galio (GaN), que son dispositivos semiconductores de radiofrecuencia de alto rendimiento utilizados en sistemas móviles de datos y comunicaciones por satélite.
Con la creciente miniaturización de los dispositivos semiconductores, surgen problemas como el aumento de la densidad de potencia y la generación de calor, que pueden afectar el rendimiento, la confiabilidad y la vida útil de estos dispositivos. Por lo tanto, una gestión térmica eficaz es crucial.
El diamante, que tiene la conductividad térmica más alta de todos los materiales naturales, es un material de sustrato ideal, pero aún no se ha puesto en práctica debido a las dificultades para unir el diamante a los elementos de GaN.
Un equipo de investigación dirigido por el profesor asociado Jianbo Liang y el profesor Naoteru Shigekawa de la Escuela de Graduados en Ingeniería de la Universidad Metropolitana de Osaka ha fabricado con éxito transistores GaN de alta movilidad electrónica utilizando diamante como sustrato. Esta novedosa tecnología ofrece más del doble de rendimiento de disipación de calor que los transistores de la misma forma fabricados sobre un sustrato de carburo de silicio (SiC).
Para maximizar la alta conductividad térmica del diamante, los investigadores integraron una capa de 3C-SiC, un politipo cúbico de carburo de silicio, entre GaN y el diamante. Esta técnica reduce significativamente la resistencia térmica de la interfaz y mejora la disipación de calor.
“Esta nueva tecnología tiene el potencial de reducir significativamente el CO2 Reducir las emisiones y potencialmente revolucionar el desarrollo de la electrónica de potencia y radiofrecuencia con capacidades mejoradas de gestión térmica”, afirmó el profesor Liang.
Los resultados de esta investigación fueron publicados en Pequeño (“Alta estabilidad térmica y baja resistencia térmica de uniones de diamante/GaN/3C-SiC/de gran superficie para procesos prácticos de dispositivos”).
[ad_2]