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Esto revolucionará diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, incluida la carga de vehículos eléctricos y la energía renovable, al permitir una mayor eficiencia energética y contribuir a los esfuerzos globales de descarbonización.
Infineon Technologies ha anunciado el lanzamiento de su tecnología de trinchera MOSFET de carburo de silicio (SiC) de próxima generación, que representa un avance significativo en los sistemas de energía y la conversión de energía. El nuevo CoolSiC MOSFET 650V y 1200V Generación 2 (G2) presenta una mejora de hasta un 20 por ciento en métricas clave de rendimiento, como la energía almacenada y las cargas, en comparación con sus predecesores, sin comprometer la calidad y la confiabilidad. Esta mejora aumentará la eficiencia energética y contribuirá aún más a los esfuerzos de descarbonización.
La tecnología MOSFET G2 aprovecha el poder del carburo de silicio, lo que permite una menor pérdida de energía y una mayor eficiencia de conversión de energía. Esto beneficia significativamente a diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, incluidas la fotovoltaica, el almacenamiento de energía, la carga de CC de vehículos eléctricos (EV), los motores y las fuentes de alimentación industriales. Por ejemplo, una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 puede lograr hasta un 10 por ciento menos de pérdida de energía que las generaciones anteriores, al tiempo que permite una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma. Además, los inversores de tracción basados en dispositivos CoolSiC G2 pueden ampliar aún más la gama de vehículos eléctricos, y los inversores solares desarrollados con esta tecnología pueden alcanzar tamaños más pequeños manteniendo una alta potencia de salida, lo que se traduce en un menor coste por vatio.
Las características clave incluyen:
- MOSFET CoolSiC Generación 2 de 650 V/1200 V
- Baja resistencia inigualable (RDS(on))
- La gama de productos más completa del mercado.
- Características especiales para una mayor robustez
La compañía afirma que su tecnología, combinada con su tecnología de empaquetado .XT, mejora aún más el rendimiento y la confiabilidad de los diseños basados en CoolSiC G2. Esto permite una mayor conductividad térmica, un mejor control del ensamblaje y un mejor rendimiento. El dominio de Infineon en diversas tecnologías energéticas, incluido el silicio, el carburo de silicio y el nitruro de galio (GaN), proporciona flexibilidad de diseño y experiencia líder en aplicaciones, satisfaciendo las expectativas y necesidades de los diseñadores modernos. Los semiconductores basados en materiales de banda prohibida amplia, como SiC y GaN, son clave para un uso consciente y eficiente de la energía y promueven la descarbonización en los sectores industrial, de consumo y de automoción.
Dr. Peter Wawer, director de Energía Industrial Verde de Infineon, enfatizó la importancia de las soluciones innovadoras para abordar las megatendencias relacionadas con la generación, transmisión y consumo de energía. Explicó: “Con CoolSiC MOSFET G2, Infineon está llevando el rendimiento del carburo de silicio a un nuevo nivel. Esta nueva generación de tecnología SiC permite el desarrollo acelerado de sistemas más rentables, más compactos, más confiables y más altamente eficientes que ahorran energía y reducen las emisiones de CO2 por cada vatio instalado en el campo”.
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