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(noticias nanowerk) El Instituto de Ciencia y Tecnología Daegu Gyeongbuk (DGIST) anunció un gran avance realizado por el equipo del profesor Hyuk-jun Kwon del Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática. El equipo, incluido Ph.D. El científico autor principal, Bong-ho Jang, ha desarrollado un nuevo proceso de fabricación para películas de óxido de alta calidad. Este proceso permite crear patrones eficientes a temperaturas más bajas y se ha utilizado con éxito para producir memoria de acceso aleatorio resistiva no volátil (RRAM).
Este avance, reportado en Revista de ciencia y tecnología de materiales («Comportamiento de conmutación estable de ZrO de baja temperatura2 Se espera que los dispositivos RRAM realizados mediante fotopatrones asistidos por síntesis de combustión mejoren los sistemas informáticos de próxima generación, superen las limitaciones de los métodos de fabricación actuales y produzcan memorias con una durabilidad superior.
![Producción de películas de óxido de alta calidad y estructuración efectiva a bajas temperaturas, así como producción de memorias resistivas no volátiles con acceso aleatorio.](https://www.nanowerk.com/nanotechnology-news3/id64512_1.jpg)
Con los sistemas informáticos centrados en datos en rápida evolución, como la inteligencia artificial, los big data y los dispositivos de Internet de las cosas (IoT), existe una necesidad creciente de memoria no volátil de próxima generación. Este tipo de almacenamiento tiene una gran demanda debido a su alta durabilidad, funcionamiento más rápido y eficiencia energética. RRAM, que manipula datos de la memoria mediante energía eléctrica, está a la vanguardia de esta demanda.
El equipo se centró en la “tecnología de proceso de solución”, un método prometedor para desarrollar RRAM conocido por su fabricación a gran escala y de bajo costo. Sin embargo, esta tecnología opera tradicionalmente a altas temperaturas y enfrenta desafíos para lograr un patrón uniforme.
Para resolver estos problemas, el equipo del profesor Kwon integró «tecnología de síntesis de combustión» en el proceso de solución. La síntesis por combustión utiliza reacciones exotérmicas para sintetizar materiales, utilizando el calor generado durante la combustión. Este enfoque evita efectivamente la necesidad de condiciones externas de alta temperatura. Utilizando este método, el equipo produjo con éxito óxido de circonio (ZrO) de alta calidad.2) películas y lograron fotoestructuración mediante reacciones fotoquímicas con luz ultravioleta a temperaturas más bajas.
La investigación también condujo a la fabricación de una memoria resistiva de acceso aleatorio utilizando esta novedosa tecnología. La RRAM resultante exhibe una durabilidad notable, resistiendo más de 1000 ciclos y manteniendo el almacenamiento de datos durante más de 100 000 segundos, incluso en condiciones de alta temperatura.
Este estudio no es la primera incursión del profesor Kwon en la tecnología de baja temperatura. Su trabajo anterior incluyó la aplicación de la síntesis de combustión para producir SnO.2 Transistores de película delgada. La investigación actual amplía el potencial de esta tecnología y va más allá de las limitaciones de los métodos de proceso de solución existentes para desarrollar un tipo innovador de RRAM.
El profesor Kwon de la Facultad de Ingeniería Eléctrica e Informática se mostró entusiasmado con los resultados. Destacó la mejora significativa con respecto a las tecnologías de procesos de solución existentes y predijo el impacto en el desarrollo de sistemas informáticos intensivos de próxima generación y la producción en masa de dispositivos electrónicos basados en procesos de solución.
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