[ad_1]
Infineon ha anunciado dos nuevos módulos IGBT XHP-3 de 4,5 kV, el FF450R45T3E4_B5 y el DD450S45T3E4_B5.
Uno de los nuevos módulos XHP 3. Imagen (modificada) cortesía de Infineon
Infineon desarrolló los módulos para simplificar diseños complejos para aplicaciones industriales y comerciales, como trenes de alta velocidad y cintas transportadoras.
Los nuevos módulos IGBT aumentan el aislamiento
Ambos dispositivos forman parte de la serie XHP-3 de Infineon y comparten varios principios básicos. Según las páginas del producto, ambos módulos tienen alta estabilidad de CC, alta capacidad de cortocircuito y una temperatura de funcionamiento de unión virtual de 150 °C. Ambos módulos cuentan con un aislamiento mejorado de 10,4 kV para garantizar el funcionamiento adecuado del circuito en condiciones de alto voltaje. El factor de forma física de los módulos también es pequeño: 140 mm x 100 mm x 40 mm.
FF450R45T3E4_B5 es un módulo IGBT dual. Imagen cortesía de Infineon
Aunque ambos dispositivos están diseñados para funcionar juntos, tienen algunas diferencias clave. En primer lugar, el FF450R (hoja de datos vinculada) es un módulo de conmutación IGBT dual de 4500 V y 450 A, mientras que el DD450S (hoja de datos vinculada) es un módulo de diodo IGBT. El dispositivo FF presenta tecnología patentada Trenchstop, que se dice que minimiza las pérdidas de conmutación y el voltaje de saturación. Según la hoja de datos, las características clave del módulo FF incluyen alto voltaje colector-emisor (VCES) y alta corriente de colector (ICNom), lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones industriales de alto rendimiento, como trenes de alta velocidad.
Uso de la tecnología Trenchstop
La tecnología Trenchstop utiliza un IGBT de parada de campo, que presenta un sustrato de oblea más delgado y, en consecuencia, una menor resistencia entre el colector y el emisor. Como resultado, esta tecnología reduce el voltaje de saturación (VCES) y minimiza las pérdidas dentro del IGBT.
La tecnología Trenchstop reduce el voltaje de saturación. Imagen cortesía de Infineon
La tecnología Trenchstop se ha generalizado en la electrónica de potencia, como los motores y los inversores. Al combinar los dispositivos FF y DD, los clientes pueden simplificar los diseños tradicionales de múltiples interruptores simples/diodos dobles a dos interruptores dobles/diodos dobles.
Al utilizar interruptores IGBT duales en lugar de múltiples interruptores individuales, los ingenieros pueden simplificar los diseños de barras colectoras. Una barra colectora es una tira de cobre u otro metal conductor que se utiliza para distribuir energía a dispositivos periféricos y otros componentes eléctricos. Al crear sistemas de distribución de energía con barras, es mejor conectar las conexiones IGBT en paralelo para reducir las pérdidas y aumentar el rendimiento. Sin embargo, en este tipo de conexiones en paralelo con interruptores IGBT convencionales, la inductancia parásita puede provocar un desequilibrio de corriente en un circuito.
La familia XHP hace que estas conexiones paralelas sean más simples y robustas al permitir a los diseñadores de sistemas colocar las conexiones una al lado de la otra y reducir el esfuerzo de cableado.
Ahorro de costos para aplicaciones industriales y comerciales.
Debido a que la familia XHP simplifica los diseños de barras colectoras en paralelo, se puede utilizar en una variedad de aplicaciones de alto voltaje, como trenes de alta velocidad, transportadores y locomotoras. Los IGBT se utilizan habitualmente en locomotoras eléctricas y diésel-eléctricas.
Control de tracción en el diseño de sistemas locomotores. Imagen cortesía de ResearchGate
Una aplicación específica que utiliza IGBT son los sistemas de control de tracción. En un sistema de este tipo, un motor diésel puede accionar un generador, que a su vez acciona motores eléctricos conectados a las ruedas del tren. Los voltajes y corrientes conmutados en una aplicación de este tipo pueden ser muy altos, lo que los hace adecuados para dispositivos como la serie XHP-3. Según un informe reciente, se espera que el mercado mundial de IGBT alcance los 12.100 millones de dólares en 2030, lo que sugiere que la demanda de dispositivos IGBT de alto rendimiento y menores pérdidas, como la familia XHP, podría seguir creciendo.
[ad_2]